半导体外延，质创未来
项目背景与客户需求国内某知名车规级芯片制造厂商为升级新能源车用MOSFET与IGBT产品线，需引入高均匀性、低缺陷度的8英寸（200mm）硅基外延片。项目要求外延层厚度在15微米至80微米范围内精准可控，且在高温扩散及高压工况下保持极高的晶格完整性，以满足车规级AEC-Q101认证对器件寿命和可靠性的严苛标准。方案配置与工艺实施细节河北普兴电子针对客户8英寸功率器件产线特性，提供了定制化硅外延