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硅光芯片晶圆级大规模光电混合测试难点硅基光电子（SiliconPhotonics）将光导开关、调制器及探测器高度集成于硅晶圆上。在切片前，需要对晶圆上的数百个硅光Chip进行光电混合性能筛查。与传统纯电学测试不同，硅光测试需要将多通路光纤阵列（FA）以纳米级精度对准晶圆表面上的光栅耦合器（GratingCoupler），同时悬浮电极探针接触高频RF电极，对振动隔离与自动定位极具挑战。设备配置与
光芯片晶圆划切解理的技术难点InP（磷化铟）与GaAs（砷化镓）等化合物半导体光电子芯片在完成晶圆测试后，需要沿晶体解理面（CleavingPlane）将晶圆划切并解理成独立的芯片（Die）。传统机械砂轮刀划切极易造成晶圆边缘崩边（Chipping）、产生大量粉尘污染光芯片发光端面，甚至导致光谐振腔腔面反射率降低。因此，采用高精度激光隐形划片（StealthDicing）与机械受控裂片（Cle