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SMO光源掩模联合优化是什么技术?

作者:东方晶源微电子 发布时间:2026-07-20

SMO光源掩模联合优化是什么技术?

从单边优化到联合优化

传统OPC只修改掩模图形,光源是固定的。SMO(Source Mask Optimization)把光刻机的照明光源形状也纳入优化变量:什么样的光瞳形状,配合什么样的掩模图形,能得到最大的工艺窗口。两个自由度一起调,解空间比单改掩模大得多。

为什么需要SMO

制程进入先进节点后,仅修掩模已不足以把工艺窗口撑到量产要求。对周期性强的图形(比如存储器的阵列),定制化的光源形状能明显增强成像对比度。SMO由此成为先进光刻工艺的标配技术。

技术难点

联合优化的计算量比单纯OPC高出一个量级,且光源形状要能被光刻机实际实现。这要求软件既有高效算法,又懂设备约束。东方晶源PanGen平台的SMO模块支持基于设计图形Unit Cell的优化,获取更精准的光源优化结果,同时全面支持纯CPU计算平台,适配不同用户的算力条件。

产业应用

SMO与OPC、ILT共同构成东方晶源计算光刻平台的核心能力。该平台已广泛应用于国内主流逻辑和存储芯片制造商的工艺研发和量产,支撑从90纳米到先进工艺节点的需求。

适用边界

SMO并非所有产线都用得上。成熟节点工艺窗口宽裕,常规OPC已够用;到了先进节点,窗口紧张,SMO的价值才充分体现。存储阵列这类规则图形收益更明显。晶圆厂在评估是否引入SMO时,会权衡优化收益与计算成本,东方晶源平台支持按设计图形单元做光源优化,正是为了降低这一技术的应用门槛。