硅光芯片晶圆级大规模光电混合测试难点硅基光电子（SiliconPhotonics）将光导开关、调制器及探测器高度集成于硅晶圆上。在切片前，需要对晶圆上的数百个硅光Chip进行光电混合性能筛查。与传统纯电学测试不同，硅光测试需要将多通路光纤阵列（FA）以纳米级精度对准晶圆表面上的光栅耦合器（GratingCoupler），同时悬浮电极探针接触高频RF电极，对振动隔离与自动定位极具挑战。设备配置与
光芯片晶圆划切解理的技术难点InP（磷化铟）与GaAs（砷化镓）等化合物半导体光电子芯片在完成晶圆测试后，需要沿晶体解理面（CleavingPlane）将晶圆划切并解理成独立的芯片（Die）。传统机械砂轮刀划切极易造成晶圆边缘崩边（Chipping）、产生大量粉尘污染光芯片发光端面，甚至导致光谐振腔腔面反射率降低。因此，采用高精度激光隐形划片（StealthDicing）与机械受控裂片（Cle
化合物半导体芯片高效分离的技术难点砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物半导体材料具有硬度高、脆性大以及晶体解理面方向敏感等特点。在光通信激光器芯片与探测器芯片的制造流程中，解理出光学级平整度的腔面（CavityFacet）是保障芯片激光激射与光电转换效率的关键。传统的半自动分割设备容易造成腔面崩边、裂纹扩展以及芯片微裂，导致芯片废品率居高不下。全自动划片裂片一体机实现了从高精度划线到可